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英飞凌与西门子达成深度合作
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简介近日,全球功率半导体领导者英飞凌与西门子达成深度合作,以碳化硅SiC)技术重新定义电气保护的速度与效率,共同应对AI数据中心、智能工厂和电池储能系统日益严苛的电力挑战。英飞凌将向西门子供应碳化硅功率模 ...
近日,英飞全球功率半导体领导者英飞凌与西门子达成深度合作,凌西以碳化硅(SiC)技术重新定义电气保护的门达速度与效率,共同应对AI数据中心、成深智能工厂和电池储能系统日益严苛的度合电力挑战。
英飞凌将向西门子供应碳化硅功率模块,英飞用于其SENTRON 3QD2半导体断路器。凌西这款断路器彻底告别了传统机电式断路器依赖机械部件分断的门达模式,采用半导体元器件与智能保护算法,成深实现微秒级超高速分断——比传统方案快约1000倍。度合
英飞凌工业与基础设施业务执行副总裁Andreas Weisl表示:"AI数据中心与工厂的英飞电气化、复杂化程度不断加深,凌西电气故障风险随之上升。门达我们先进的成深碳化硅技术与西门子在配电领域的专长相结合,恰好满足这一需求。度合"
这不是简单的材料替换,而是性能维度的全面升级。
速度——碳化硅器件的高速开关特性让微秒级故障分断成为现实。尤其在直流(DC)电网中,系统没有自然过零点,故障电流上升极快,只有碳化硅才能跟上节奏。
效率——相比传统硅基方案,碳化硅可减少约70%的能量损耗。电源转换效率从94%提升至98%,意味着每100kW负载,损耗从6kW降至2kW。对数据中心而言,4kW的损耗节省实际上避免了近8kW的综合能耗成本。
可靠性——碳化硅可在高达175~200°C的结温下稳定运行,大幅降低散热压力,让设备在更苛刻的环境中依然保持高性能。
西门子智能基础设施集团电气产品业务首席执行官Markus Grabmeier指出:"我们全新的直流产品组合不仅能提升能效,更助力构建面向未来的高韧性基础设施。直流应用可降低能耗,并大幅减少耗材。"
AI数据中心——英伟达GB300系统功耗达125~140kW,未来单机柜供电需求将突破300kW。碳化硅支撑的800V高压直流配电架构,配合微秒级故障隔离,让算力全速运转时电力保护不再是瓶颈。
智能工厂——工业环境中,电气故障造成的每一秒停机都是真金白银的损失。SENTRON 3QD2的超快速分断能力,让工厂在短路或过载发生的瞬间就能切断故障,保护昂贵的生产设备。
电池储能系统——直流电网的普及对保护速度和效率提出了更高要求。碳化硅模块的低导通损耗和高功率密度特性,使储能变流器的充放电效率显著提升。
在2026年6月德国纽伦堡PCIM Europe展会上,英飞凌现场演示了这套联合方案。从CoolSiC™ MOSFETG2系列、EasyPACK™ C系列碳化硅功率模块,到面向AI数据中心HVDC架构的24kW电池备份单元参考设计,英飞凌的碳化硅产品矩阵已全面覆盖从芯片级到系统级的需求。西门子则将这些先进器件集成进SENTRON产品线,让配电保护从"毫秒响应"跃迁至"微秒守护"。
当算力成为新一代公共基础设施,支撑算力的电力基础设施必须同步进化。英飞凌与西门子这次联手,正是用碳化硅的速度,守住AI时代每一瓦特电力的安全。
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